Abstract
       A novel FDSOI planar DGDT（Double Gate Dynamic Threshold Voltage） NMOSFET is presented and the operation mechanism of DGDT FDSOI NMOSFET is discussed. The device structure and fabrication process is described and simulated. The back-gate N-well is formed by middle dose, high energy implantation of phosphorus and connected directly with front-gate N+ polysilicon . This method is completely compatible with the bulk silicon process..  Numerical simulation shows that DGDT FDSOI NMOSFET maintains the conventional FDSOI MOSFET advantages over partially depleted (PD) SOI NMOSFET, which is the avoidance of anomalous subthreshold slope and kink effects. And DGDT FDSOI NMOSFET shows better drivability than conventional FDSOI NMOSFET.   
Key words： Double-gate structure; dynamic threshold; FDSOI; NMOSFET

摘要
    提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值NMOS场效应晶体管，模拟并讨论了器件结构，相应的工艺技术和工作机理。对于NMOS器件，背栅N阱是通过中等剂量的高能磷离子注入实现的，并与N＋前栅多晶硅直接相连。这项技术与体硅工艺完全兼容。通过Medici模拟，我们发现全耗尽SOI平面双栅动态阈值NMOS保持了传统全耗尽SOI NMOS的优势，消除了反常亚阈值斜率和Kink效应，同时较传统全耗尽SOI NMOS，有更加优秀的电流驱动能力和跨导特性。
关键词：  双栅结构；动态阈值；全耗尽绝缘体上硅； NMOS场效应晶体管

目录
Abstract 1
摘要 1
Ⅰ  Introduction: 3
Ⅱ  Device Structure and Fabrication Description: 3
Ⅲ Mechanism of DGDT FDSOI NMOSFET 4
Ⅳ Conclusion: 7
Reference: 8

Ⅰ  Introduction:
     With the reduction of critical dimension, supply voltage is scaled down to consume less power as the equation P=CLV2ddfd shown, where P is the power consumed by one gate, CL is the total switching capacitance of the gate, Vdd is the power supply voltage, fd is the average cooperating frequency of that gate. At the same time, threshold voltage should be scaled down in order not to degrade the speed of circuit significantly. However, The reduction of threshold voltage gives rise to the problem of the increasing off-state current, which can consume more standby power in static circuit and increase the possibility of failure in dynamic circuits and memory arrays [2] .
        In this paper a novel DGDT FDSOI NMOSFET is presented to resolve the problem above. Front gate N+ polysilicon is in contact with back-gate N-well in the device. When the gate voltage rises, the back-gate working as the control gate raises the body potential so that the threshold voltage is reduced and drive current is increased. While the Vgs is equal to 0V, like conventional FDSOI NMOSFET, the leakage current is small. But the back channel should be shut down all the time to avoid back channel leakage current.